MBE Growth and Properties of ZnYbTe Layers

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

some properties of fuzzy hilbert spaces and norm of operators

in this thesis, at first we investigate the bounded inverse theorem on fuzzy normed linear spaces and study the set of all compact operators on these spaces. then we introduce the notions of fuzzy boundedness and investigate a new norm operators and the relationship between continuity and boundedness. and, we show that the space of all fuzzy bounded operators is complete. finally, we define...

15 صفحه اول

determination of some physical and mechanical properties red bean

چکیده: در این تحقیق، برخی خواص فیزیکی و مکانیکی لوبیا قرمز به-صورت تابعی از محتوی رطوبت بررسی شد. نتایج نشان داد که رطوبت بر خواص فیزیکی لوبیا قرمز شامل طول، عرض، ضخامت، قطر متوسط هندسی، قطر متوسط حسابی، سطح تصویر شده، حجم، چگالی توده، تخلخل، وزن هزار دانه و زاویه ی استقرار استاتیکی در سطح احتمال 1 درصد اثر معنی داری دارد. به طوری که با افزایش رطوبت از 54/7 به 12 درصد بر پایه خشک طول، عرض، ضخام...

15 صفحه اول

Photomodulated Reflectance Spectroscopy of GaAsBi/GaAs layers grown by MBE

The III-bismides are considered to be a very attractive set of III-V alloys due to their potential applications in photonic and spintronic devices. The incorporation of bismuth into GaAs, with its band anti-crossing effect in the valence band of GaAs, leads to a decrease in the temperature dependence of the bandgap. Such a material may be very useful in designing temperature-insensitive semicon...

متن کامل

ZnO growth on Si with low-temperature ZnO buffer layers by ECR-assisted MBE

High-quality ZnO films were grown on Si(1 0 0) substrates with low-temperature (LT) ZnO buffer layers by an electron cyclotron resonance (ECR)-assisted molecular-beam epitaxy (MBE). In order to investigate the optimized buffer layer temperature, ZnO buffer layers of about 1.1 mm were grown at different growth temperatures of 350, 450 and 550 1C, followed by identical high-temperature (HT) ZnO f...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Acta Physica Polonica A

سال: 1996

ISSN: 0587-4246,1898-794X

DOI: 10.12693/aphyspola.90.1060